Dettagli:
|
VBO: | 28-36V | Tipo di VBO: | 32V |
---|---|---|---|
Pacchetto: | A-405 | IBOS: | 100μA |
Tipo: | DIAC | Tipo del pacchetto: | Attraverso il foro |
Materiale: | Silicio | Potere: | 150mW |
Evidenziare: | diodo 0.6mm di db3bl,405 un diodo 0.6mm di Bl Db3,diodo di db4bl |
CONDIZIONE DI PROVA
|
SIMBOLI
|
VALORE
|
UNITÀ
|
|||
Minuto. | Tipo. | Massimo. | ||||
Tensione di accensione
|
C=22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLT
|
Simmetria di tensione di accensione
|
C=22nF
|
I+VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLT
|
|
Tensione di accensione dinamica
|
(NOTA 1)
|
± I DI I D V
|
5 |
VOLT
|
||
Tensione in uscita
|
DIAGRAM2
|
Vo
|
5 |
VOLT
|
||
Corrente di continuazione
|
C=22nF
|
IBOS
|
100 |
mA
|
||
Tempo di aumento
|
DIAGRAM3 |
TR
|
1,5 |
spettrografia di massa
|
||
Perdita corrente
|
VR=0.5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
Dissipazione di potere sul circuito stampato
|
TA=65 C
|
Palladio
|
150 |
Mw
|
||
Corrente di punta ripetitiva dello su stato
|
tp=20ms
f=100Hz
|
ITRM
|
2 | |||
Resistenze termiche dalla giunzione ad ambientale
|
RQJA
|
400 |
℃/W
|
|||
Resistenze termiche dalla giunzione da condurre
|
RQJL
|
150 | ℃/W | |||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ |
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398