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Dettagli:
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| Materiale: | Silicio | Max. Forward Current: | 3A |
|---|---|---|---|
| Tensione di andata massima: | 1.4V | Max. Reverse Current: | 5uA |
| Tensione inversa massima: | 400V | trr: | 75ns |
| Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C | Pacchetto: | SMC |
| Evidenziare: | diodo passivato di vetro 400V 3A,raddrizzatore al silicio passivato di vetro US3G,Raddrizzatore passivato di vetro di US3G |
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Disegno del prodotto
Caratteristiche di prodotto
| SIMBOLI | US3A | US3B | US3D | US3G | US3J | US3K | US3M | UNITÀ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLT |
Tensione massima di RMS | VRMS | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 420 | VOLT |
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | VOLT |
La media massima in avanti ha rettificato corrente a ℃ TL=55 | IO (AVOIRDUPOIS) | 3 | Amp | ||||||
Semionda sinusoidale di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC) | IFSM | 100 | Amp | ||||||
Tensione di andata istantanea massima a 3.0A | VF | 1,0 | 1,4 | 1,7 | Volt | ||||
Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC a tensione di didascalia stimata di CC TA=100℃ | IR | 5,0 100,0 | µA | ||||||
Tempo di recupero inverso massimo (NOTA 1) | trr | 50 | 75 | NS | |||||
Capacità di giunzione tipica (NOTA 2) | CJ | 63 | PF | ||||||
Resistenza termica tipica (NOTA 3) | RθJA | 47 | ℃/W | ||||||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - +150 | ℃ | ||||||
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
