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Dettagli:
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| VBO: | 28-36V | Tipo di VBO: | 32V |
|---|---|---|---|
| pacchetto: | Vetro DO-35 | IBOS: | 100μA |
| Tipo: | DIAC | Tipo del pacchetto: | Attraverso il foro |
| Materiale: | Silicio | Potere: | 150mW |
| Evidenziare: | Diodo di innesco del diac Db3,Diodo 150mW 32V di innesco Db3,Innesco del diac Db3 |
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CONDIZIONE DI PROVA
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SIMBOLI
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VALORE
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UNITÀ
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| Minuto. | Tipo. | Massimo. | ||||
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Tensione di accensione
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C=22nF
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VBO
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28 | 32 | 36 |
VOLT
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Simmetria di tensione di accensione
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C=22nF
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I+VBOI-I-VBOI
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-3
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3 |
VOLT
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Tensione di accensione dinamica
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(NOTA 1)
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± I DI I D V
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5 |
VOLT
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Tensione in uscita
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DIAGRAM2
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Vo
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5 |
VOLT
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Corrente di continuazione
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C=22nF
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IBOS
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100 |
mA
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Tempo di aumento
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DIAGRAM3 |
TR
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1,5 |
spettrografia di massa
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Perdita corrente
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VR=0.5VBO
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IB
|
10 |
mA
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Dissipazione di potere sul circuito stampato
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TA=65 C
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Palladio
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150 |
Mw
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Corrente di punta ripetitiva dello su stato
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tp=20ms
f=100Hz
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ITRM
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2 | |||
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Resistenze termiche dalla giunzione ad ambientale
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RQJA
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400 |
℃/W
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Resistenze termiche dalla giunzione da condurre
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RQJL
|
150 | ℃/W | |||
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Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione
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TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
| Tipo | Tensione di accensione | Simmetria massima di tensione di accensione | Corrente di continuazione di Max. Peak | Tensione di accensione di Max. Dynamic | Corrente dello Su stato di Max. Peak | Pacchetto | ||
| V | V | μA | V | |||||
| Minuto. | Tipo. | Massimo. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
