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Dettagli:
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| VBO: | 28-36V | Tipo di VBO: | 32V |
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| Pacchetto: | A-405 | IBOS: | 100μA |
| Tipo: | DIAC | Tipo del pacchetto: | Attraverso il foro |
| Materiale: | Silicio | Potere: | 150mW |
| Evidenziare: | Diodo A 405 di DB6 Db3 assiale,Diodo A 405 di DB4 Db3 assiale,Db3 diodo A bidirezionale 405 assiale |
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CONDIZIONE DI PROVA
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SIMBOLI
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VALORE
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UNITÀ
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| Minuto. | Tipo. | Massimo. | ||||
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Tensione di accensione
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C=22nF
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VBO
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28 | 32 | 36 |
VOLT
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Simmetria di tensione di accensione
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C=22nF
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I+VBOI-I-VBOI
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-3
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3 |
VOLT
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Tensione di accensione dinamica
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(NOTA 1)
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± I DI I D V
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5 |
VOLT
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Tensione in uscita
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DIAGRAM2
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Vo
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5 |
VOLT
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Corrente di continuazione
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C=22nF
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IBOS
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100 |
mA
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Tempo di aumento
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DIAGRAM3 |
TR
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1,5 |
spettrografia di massa
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Perdita corrente
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VR=0.5VBO
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IB
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10 |
mA
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Dissipazione di potere sul circuito stampato
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TA=65 C
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Palladio
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150 |
Mw
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Corrente di punta ripetitiva dello su stato
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tp=20ms
f=100Hz
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ITRM
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2 | |||
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Resistenze termiche dalla giunzione ad ambientale
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RQJA
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400 |
℃/W
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Resistenze termiche dalla giunzione da condurre
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RQJL
|
150 | ℃/W | |||
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Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione
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TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
