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Dettagli:
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| Materiale: | Silicio | pacchetto: | DO-27 |
|---|---|---|---|
| Temperatura di funzionamento: | -65 a +175℃ | Tensione inversa massima: | 1000V |
| Max. Forward Current: | 3A | Tensione di andata massima: | 1V |
| Evidenziare: | diodo di raddrizzatore 3A,diodo di raddrizzatore 1N5406,diodo di raddrizzatore 1N5408 |
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Diodo di raddrizzatore standard del silicio 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Disegno del prodotto
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SIMBOLI
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1N
5400
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1N
5401
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1N
5402
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1N
5403
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1N
5404
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1N
5405
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1N
5406
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1N
5407
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1N
5408
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UNITÀ
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tensione inversa di punta ripetitiva massima
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLT
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Tensione massima di RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 |
VOLT
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Tensione di didascalia massima di CC
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VCC
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLT
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La media massima in avanti ha rettificato corrente 0,375" lunghezza del cavo (di 9.5mm) a TA=75℃
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IO (AVOIRDUPOIS)
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3,0 |
Amp
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Metà di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sinusoide sovrapposta sul carico nominale (Metodo di JEDEC)
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IFSM
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150 |
Amp
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Tensione di andata istantanea massima a 3.0A
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VF
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1,0 | VOLT | ||||||||
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Inverso massimo TA=25 corrente di CC a stimato Tensione di didascalia di CC TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacità di giunzione tipica (NOTA 1)
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CJ
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30,0 |
PF
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Resistenza termica tipica (NOTA 2)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | ||||||||
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Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione gamma
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TJ, TSTG
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-65 - +175 |
℃ | ||||||||
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
