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Dettagli:
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| Materiale: | Silicio | trr: | 50ns |
|---|---|---|---|
| pacchetto: | DO-27 | Tensione inversa massima: | 200V |
| Max. Forward Current: | 3A | Tensione di andata massima: | 1V |
| Evidenziare: | Diodo HER303,Diodo di raddrizzatore 3A 200V,HER303 diodo 3A 200V |
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| SIMBOLI |
SUO 301
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SUO
302
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SUO
303
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SUO
304
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SUO
305
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SUO
306
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SUO
307
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SUO
308
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UNITÀ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Tensione inversa di punta ripetitiva massima
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLT
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Tensione massima di RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLT
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Tensione di didascalia massima di CC
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VCC
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLT
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La media massima in avanti ha rettificato 0,375" corrente lunghezza del cavo (di 9.5mm) a TA=75℃
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IO (AVOIRDUPOIS)
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3,0 |
Amp
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Semionda sinusoidale di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC)
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IFSM
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150,0 |
Amp
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Tensione di andata istantanea massima a 6.0A
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VF | 1,0 | 1,3 | 1,7 |
Volt
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Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC
a tensione di didascalia stimata di CC TA=100℃10
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5,0 150 |
µA | ||||||||
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Tempo di recupero inverso massimo (NOTA 1)
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trr
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50 | 70 | NS | ||||||
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Capacità di giunzione tipica (NOTA 2)
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CJ
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70,0 | 50,0 | PF | ||||||
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Resistenza termica tipica (NOTA 3)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | |||||||
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Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione
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TJ, TSTG
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-65 - +150
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℃ | |||||||
Profilo del prodotto
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
