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Dettagli:
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| Materiale: | Silicio | trr: | 300ns |
|---|---|---|---|
| Tensione inversa massima: | 1000V | Max. Forward Current: | 1A |
| Tensione di andata massima: | 1.3V | Pacchetto: | DO-41 |
| Evidenziare: | diodo di 1A 1000V FRD,Diodo di FRD BA157,diodo BA159 di 0.7mm |
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| SIMBOLI | BA157S | BA158S | BA159S | ||
|---|---|---|---|---|---|
BA157 | BA15S | BA159 | UNITÀ | ||
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 400 | 600 | 1000 | VOLT |
Tensione massima di RMS | VRMS | 280 | 420 | 700 | VOLT |
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 400 | 600 | 1000 | VOLT |
La media massima in avanti ha rettificato 0,375" corrente lunghezza del cavo (di 9.5mm) a TA=75℃ | IO (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | Amp | ||
Semionda sinusoidale di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amp | ||
Tensione di andata istantanea massima a 6.0A | VF | 1,3 | Volt | ||
Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC a tensione di didascalia stimata di CC TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||
Tempo di recupero inverso massimo (NOTA 1) | trr | 150 | 250 | 500 | NS |
Capacità di giunzione tipica (NOTA 2) | CJ | 15,0 | PF | ||
Resistenza termica tipica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -65 - +150 | ℃ | ||
Disegno del prodotto
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
