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Dettagli:
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| Materiale: | Silicio | trr: | 200ns |
|---|---|---|---|
| Pacchetto: | DO-41 | Tensione inversa massima: | 600V |
| Max. Forward Current: | 1A | Tensione di andata massima: | 1.2V |
| Evidenziare: | Diodo di raddrizzatore veloce di recupero 600v,FACCIA il diodo veloce Trr 200ns di recupero 41,diodo 1N4935 |
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Disegno del prodotto
| SIMBOLI | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | UNITÀ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLT |
Tensione massima di RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | VOLT |
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLT |
La media massima in avanti ha rettificato 0,375" corrente lunghezza del cavo (di 9.5mm) a TA=75℃ | IO (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | Amp | ||||
Semionda sinusoidale di andata di punta della punta di corrente singola 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amp | ||||
Tensione di andata istantanea massima a 6.0A | VF | 1,2 | Volt | ||||
Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC a tensione di didascalia stimata di CC TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||||
Tempo di recupero inverso massimo (NOTA 1) | trr | 200 | NS | ||||
Capacità di giunzione tipica (NOTA 2) | CJ | 15,0 | PF | ||||
Resistenza termica tipica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -65 - +150 | ℃ | ||||
Persona di contatto: Ms. Selena Chai
Telefono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
