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Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M

Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M

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Grande immagine :  Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: trusTec
Certificazione: ROHS
Numero di modello: MB10S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 3K PCS
Prezzo: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Imballaggi particolari: 3K PCS per nastro & bobina, 48K PCS per cartone.
Tempi di consegna: 10 prodotti freschi di giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 800KK PCS al mese

Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M

descrizione
Tipo: Raddrizzatore a ponte Tipo del pacchetto: SMD
Corrente: 0.5/0.8A tensione inversa: 1000V
IFSM: 30A Tensione di andata: 1V
Temperatura di giunzione di funzionamento: -55 a +150℃ Imballaggio: Nastro & bobina (T/R)
Evidenziare:

raddrizzatore a ponte dello smd mb10s

,

raddrizzatore a ponte di mb6f

,

raddrizzatore a ponte mb10

Il vetro di monofase di SMD ha passivato MINI Bridge Rectifier Diode MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M
 
MB05S CON MB10S
MB05F CON MB10F
MB05M CON MB10M
IL VETRO HA PASSIVATO I MINI RADDRIZZATORI A PONTE
Tensione inversa -50 a 1000Volts -0.5/0.8Ampere corrente di andata
 
Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M 0
Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M 1
Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M 2
 
CARATTERISTICHE
 
Ideale per il circuito stampato
Costruzione bassa affidabile che utilizza tecnica di plastica modellata
La saldatura ad alta temperatura ha garantito: 260 secondi di /10 a 5 libbre., tensione (2.3kg)
Installazione di piccola dimensione e semplice
Alta capacità della punta di corrente
Giunzione passivata di vetro del chip
Questa serie è UL ha riconosciuto la componente
Il pacchetto di plastica porta la classificazione 94V-0 di infiammabilità del laboratorio dei sottoscrittori
 
DATI MECCANICI
 
Caso: Corpo di plastica modellato
Terminali: Cavi placcati solderable per MIL-STD-750,
Metodo 2026
Polarità: Simboli di polarità segnati sul caso
Posizione di montaggio: C'è ne
Peso: 0,008 once, 0,22 grammi

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE
 
Valutazioni a 25 temperature ambienti salvo specificazione contraria.
Il carico induttivo di monofase 60Hz a semi onda, resistente o, per il carico capacitivo riduce le imposte su corrente da 20%.
 
 
SIMBOLI
MB05S
MB1S
MB2S
MB4S
MB6S
MB8S
MB10S
UNITÀ
MB05F
MB1F
MB2F
MB4F
MB6F
MB8F
MB10F
MB05M
 
MB1M
MB2M
MB4M
MB6M
MB8M
MB10M
Tensione inversa di punta ripetitiva massima
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000
Volt
Tensione massima di RMS
VRMS
35 70 140 280 420 560 700
Volt
Tensione di didascalia massima di CC
VCC
50 100 200 400 600 800 1000
Volt
La media massima in avanti ha rettificato corrente a TA=30 sul PWB in vetro epossidico. (Note1)
Sul substrato di alluminio (Note2)
SE (AVOIRDUPOIS)

0,5

0,8

Amp
Punta di corrente di andata di punta, singola semionda sinusoidale 8.3ms sovrapposta sul carico nominale (metodo di JEDEC)
IFSM
30
Amp
Caduta di tensione di andata istantanea massima per gamba a 0.4A
VF
1,0
Volt
Inverso massimo TA=25℃ corrente di CC
a tensione di didascalia stimata di CC TA=125℃
IR

5,0

500

uA
Capactiance tipico della giunzione per gamba (Note3)
CJ
15
PF
Resistenza termica tipica per gamba
RθJA
75 ℃/W
Gamma di temperatura di funzionamento
TJ
-55 - +150
Gamma di temperature di stoccaggio
TSTG
-55 - +150

 

NOTE:
il PWB in vetro epossidico 1.On ha montato» sui cuscinetti 0.05x0.05 (di 1.3x1.3mm)
PWB di alluminio del substrato 2.On con su una superficie di 0,8" x0.8» (20x20mm) montato» sul cuscinetto della lega per saldatura 0.05X0.05 (di 1.3X1.3mm)
3.Measured a 1.0MHz e ad una tensione inversa applicata di 4,0 volt.
 
CURVE CARATTERISTICHE
 
Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M 3
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Raddrizzatore a ponte del diodo di Smd MB10S MB8S MB6S MB10F MB6F MB10M 7

Dettagli di contatto
Changzhou Trustec Company Limited

Persona di contatto: Ms. Selena Chai

Telefono: +86-13961191626

Fax: 86-519-85109398

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