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Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A

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Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A

Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A
Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A

Grande immagine :  Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: trusTec
Certificazione: ROHS
Numero di modello: 1N4752A
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 5K PCS
Prezzo: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Imballaggi particolari: 5K PCS per nastro & scatola, 50K PCS per cartone.
Tempi di consegna: 10 prodotti freschi di giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 800KK PCS al mese

Diodo Zener di 1N4756A 1N4754A 1N4753A 1N4752A

descrizione
Tipo del pacchetto: Attraverso il foro Tipo: Diodo Zener
Pacchetto: Vetro DO-41 Potere: 1W
Tensione: 33V Numero del pezzo: 1N4752A
Imballaggio: Nastro & scatola (TB) Perdita inversa: 5μA
Evidenziare:

TrusTec del diodo Zener 1N4755A

,

TrusTec del diodo Zener 1N4753A

,

TrusTec del diodo Zener 1N4754A

diodo Zener di vetro assiale 1N4752A 1N4753A 1N4754A 1N4755A 1N4756A 1N4757A del pacchetto di 33V 1W
 
1N4728A CON 1N4764A
DIODI ZENER DI VETRO
Tensione di Zener: 3.3-100 volt
Potere di impulso di punta: 1000 Mw
 
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 0 del silicio del pacchetto 1W
CARATTERISTICA
 
Impedenza bassa dello zener
Perdita inversa bassa
Dissipazione di potere di 1000mW
Alta stabilità ed alta affidabilità
 
DATI MECCANICI
 
Caso: Cassa di vetro DO-41
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
Posizione di montaggio: C'è ne

 

Valutazioni massime & caratteristiche termiche
 
Valutazioni alla temperatura ambiente 25℃ salvo specificazione contraria.
 
Parametri Simbolo Valore Unità
Dissipazione di potere Palladio 1000 1) Mw
Temperatura di giunzione di funzionamento Tj 200
Gamma di temperature di stoccaggio St -55-+200

 

1) Valido a condizione che i cavi sono tenuti alla temperatura ambiente ad una distanza di 8mm dal caso
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE
 
a TA=25℃ salvo indicazione contraria
 
TIPO Tensione di Zener Carrent inverso Resistenza dinamica
Vz (V) Condizione di prova Ir (uA) Condizione di prova rd () Condizione di prova
Nom. Iz (mA) Massimo. Vr (V) Massimo. Iz (mA)
1N4728A 3,3 76,0 100 1,0 10 76,0
1N4729A 3,6 69,0 100 1,0 10 69,0
1N4730A 3,9 64,0 50 1,0 9 64,0
1N4731A 4,3 58,0 10 1,0 9 58,0
1N4732A 4,7 53,0 10 1,0 8 53,0
1N4733A 5,1 49,0 10 1,0 7 49,0
1N4734A 5,6 45,0 10 2,0 5 45,0
1N4735A 6,2 41,0 10 3,0 2 41,0
1N4736A 6,8 37,0 10 4,0 3,5 37,0
1N4737A 7,5 34,0 10 5,0 4 34,0
1N4738A 8,2 31,0 10 6,0 4,5 31,0
1N4739A 9,1 28,0 10 7,0 5 28,0
1N4740A 10 25,0 10 7,6 7 25,0
1N4741A 11 23,0 5 8,4 8 23,0
1N4742A 12 21,0 5 9,1 9 21,0
1N4743A 13 19,0 5 9,9 10 19,0
1N4744A 15 17,0 5 11,4 14 17,0
1N4745A 16 15,5 5 12,2 16 15,5
1N4746A 18 14,0 5 13,7 20 14,0
1N4747A 20 12,5 5 15,2 22 12,5
1N4748A 22 11,5 5 16,7 23 11,5
1N4749A 24 10,5 5 18,2 25 10,5
1N4750A 27 9,5 5 20,6 35 9,5
1N4751A 30 8,5 5 22,8 40 8,5
1N4752A 33 7,5 5 25,1 45 7,5
1N4753A 36 7,0 5 27,4 50 7,0
1N4754A 39 6,5 5 29,7 60 6,5
1N4755A 43 6,0 5 32,7 70 6,0
1N4756A 47 5,5 5 35,8 80 5,5
1N4757A 51 5,0 5 38,8 95 5,0
1N4758A 56 4,5 5 42,6 110 4,5
1N4759A 62 4,0 5 47,1 125 4,0
1N4760A 68 3,7 5 51,7 150 3,7
1N4761A 75 3,3 5 56,0 175 3,3
1N4762A 82 3,0 5 62,2 200 3,0
1N4763A 91 2,8 5 69,2 250 2,8
1N4764A 100 2,5 5 76,0 350 2,5

 

Note:
1) Valido a condizione che i cavi ad una distanza di 8 millimetri dal caso sono tenuti alla temperatura ambiente.
2) Misurato in equilibrio termico e nelle condizioni di prova di CC.
3) La valutazione elencata nella tavola elettrica di caratteristiche è una punta di corrente di punta, non ripetitiva, inversa massima dell'onda quadra di 1/2 o un impulso equivalente della sinusoide della 1/120 seconda di durata sovrapposta sulla corrente della prova, IZT, per registrazione di JEDEC; tuttavia, la capacità del dispositivo reale è come descritto in Fiure 5 del vetro generale Data-DO-41.
4) Provato con gli impulsi tp = spettrografia di massa 20.
5) VF =1.20V@ (massimo) IF=200mA
*Measure in equilibrio termico e nelle condizioni di prova attuali di CC (TA=25℃)
Tolleranza su 1N47. Un valore di Vz: ±5%.
 
VALUTAZIONI E CURVE CARATTERISTICHE
 
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1 del silicio del pacchetto 1W
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 2 del silicio del pacchetto 1W
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 3 del silicio del pacchetto 1W
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 4 del silicio del pacchetto 1W
diodo Zener di vetro 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 5 del silicio del pacchetto 1W

Dettagli di contatto
Changzhou Trustec Company Limited

Persona di contatto: Ms. Selena Chai

Telefono: +86-13961191626

Fax: 86-519-85109398

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